krótki życiorys naukowy: |
Studia magisterskie na Wydziale Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego, specjalizacja - fizyka doświadczalna ciała stałego, 1966-1971 |
Doktorat w zakresie fizyki ciała stałego - Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk w Warszawie - 1982 |
Staż naukowy jako "postdoctoral research assistant" - wydział fizyki Royal Holloway and Bedford New College na Uniwersytecie Londyńskim 1988 -1991 |
Stopień doktora habilitowanego w zakresie nauk technicznych w Instytucie Technologii Elektronowej w Warszawie - 1996 r. |
Pracuje w ITME jako kierownik Pracowni Badania Struktur Defektowych, od 1991 jako profesor kontraktowy
|
Badania synchrotronowe od 1988: w Daresbury Laboratory, HASLABie i ESRF |
|
zainteresowania naukowe: |
Badania monokryształów, warstw implantowanych i epitaksjalnych za pomocą topografii rentgenowskiej, badań krzywych odbicia oraz mapowania przestrzeni odwrotnej. Symulacja odwzorowań topograficznych defektów i teoretycznych krzywych odbicia z zastosowaniami do identyfikacji defektów i określania profili naprężeń. Mikroskopia skaningowa i mikroanaliza rentgenowska.
|
|
wybrane prace:
|
K. Wieteska, W. Wierzchowski, W. Graeff, G. Gawlik "X-ray synchrotron diffraction studies of AIIIBV semiconductor compound implanted with hydrogen" Phys. Stat. Sol. (a) 203, 227-235 (2006)
|
W. Wierzchowski, K. Wieteska, W. Graeff, A. Turos, R. Grötzschel "X-ray diffraction studies of GaAs implanted with 1.5 MeV Se+ ions" VACUUM 78, 569-575 (2005)
|
W.K. Wierzchowski, K. Wieteska, W. Graeff: "Numerical simulation of Bragg-Case Section Images of Dislocations in Silicon" Journal of Physics D: Appl. Phys. 33, 1230-1238 (2000)
|
K. Wieteska, W.K. Wierzchowski, W. Graeff, A. Turos, R. Grötzschel: "Characterisation of Implanted Semiconductors by Means of White Beam and Plane Wave Synchrotron Topography" Journal of Synchrotron Radiation 7, 318-325 (2000)
|
M. Moore, W. Wierzchowski: "The Transmission Double-Crystal Synchrotron Studies of Synthetic Diamond with Haruta Stereo-Pairs Technique" Phil. Trans. R. Soc. Lond. A 357, 2671-2679 (1999) |
K. Wieteska, W. Wierzchowki, W. Graeff: "The Bragg-Case Section Images of Silicon Implanted with High Energy Particles" J. Appl. Cryst. 30, 238-243(1996) |
|
|